Görsel mevcut değil
BC 856B E6327
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
BC 856B E6327 Hakkında
BC856B E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, 65V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarında kullanılabilir. 330mW güç kapasitesi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devreleri başta olmak üzere, consumer elektronik ürünleri, ses ekipmanları ve portable cihazlarda uygulanır. DC current gain (hFE) değeri 2mA kolektör akımında 5V VCE'de minimum 220'dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65 V