Görsel mevcut değil
APT13005DTF-G1
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 450V 4A
APT13005DTF-G1 Hakkında
APT13005DTF-G1, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 450V collector-emitter breakdown voltage ile güç amplifikasyon, anahtarlama ve regülasyon devrelerinde yer bulur. 4A maksimum collector akımı ve 28W maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde orta güç uygulamalarında tercih edilir. TO-220-3 paketlemesi ile radyatör takılı kullanım imkanı sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ile 150°C arasında) endüstriyel ortamlara uygunluğunu arttırır. 4MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine elverişlidir. Bileşen güncel üretimdeki yeni tasarımlar için tavsiye edilmemekle birlikte, bakım ve onarım uygulamalarında ilgili olabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition
4MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
28 W
Supplier Device Package
TO-220F-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
900mV @ 1A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V