Görsel mevcut değil
AO4485 P-Kanal 10A 40V 1.7W SOIC-8 Mosfet Transistör
FE49170
- Üretici
- Alpha & Omega Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
AO4485 P-Kanal 10A 40V 1.7W SOIC-8 Mosfet Transistör Hakkında
AO4485, -40V P-Channel MOSFET yapısında, düşük RDS(ON) değerine sahip güç anahtarlama transistörüdür. Trench MOSFET teknolojisi kullanılarak tasarlanmıştır.
VDS = -40V ve ID = -10A (@VGS = -10V) değerlerine sahiptir. Düşük iletim direnci sayesinde anahtarlama kayıpları azaltılır. RDS(ON) ≤ 15mΩ (@VGS = -10V) ve ≤ 20mΩ (@VGS = -4.5V) olarak belirtilmiştir
Toplam gate yükü (Qg) 42nC (@10V) seviyesindedir. Bu değer sürücü tasarımında dikkate alınmalıdır. Maksimum ±20V gate-source gerilimi ve 150°C maksimum jonksiyon sıcaklığı desteklenir
SOIC-8 paket yapısındadır. DC-DC dönüştürücü, yük anahtarlama ve batarya koruma devrelerinde kullanılır.
| Ürün Kodu | AO4485 |
| Transistör Tipi | P-Channel MOSFET |
| Maks. Drain-Source Gerilimi (VDS) | -40 V |
| Sürekli Drain Akımı (ID) | -10 A (@VGS = -10V) |
| RDS(ON) | ≤ 15mΩ (@-10V), ≤ 20mΩ (@-4.5V) |
| Maks. Gate-Source Gerilimi (VGS) | ±20 V |
| Toplam Gate Yükü (Qg) | 42 nC (@10V) |
| Gate Threshold (VGS(th)) | -1.7V ~ -2.5V |
| Maks. Jonksiyon Sıcaklığı (TJ) | 150°C |
| Paket Tipi | SOIC-8 |
AO4485 Datasheet dosyasına ulaşmak için tıklayınız.