Görsel mevcut değil
A1P50S65M2-F
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
A1P50S65M2-F Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen A1P50S65M2-F, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 650V kolektör-emitör diyot gerilimi ile maksimum 50A akım kapasitesine sahip olan bu komponent, 208W güç dağıtımı sağlayabilir. Trench Field Stop IGBT teknolojisi kullanılarak düşük güç kaybı ve hızlı anahtarlama özellikleri elde edilmiştir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.3V'tur. ACEPACK™ 1 paket standardında sunulan modül, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve entegre NTC thermistor sensörü ile sıcaklık kontrolü sağlar. Chassi montajı için tasarlanmış bu komponent, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Configuration
Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100 µA
IGBT Type
Trench Field Stop
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
4.15 nF @ 25 V
Mounting Type
Chassis Mount
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Part Status
Active
Power - Max
208 W
Supplier Device Package
ACEPACK™ 1
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V