Görsel mevcut değil
30C02MH-TL-H
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3
30C02MH-TL-H Hakkında
30C02MH-TL-H, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 30V maksimum collector-emitter gerilimi ile 700mA collector akımını kaldırabilir. 540MHz transition frequency özellikleri sayesinde orta frekans uygulamalarında kullanılabilir. 600mW maksimum güç dissipasyonu ile sınırlandırılmıştır. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanabilir. Audio amplifikatörler, RF devreler, anahtarlama uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde uygulanır. Minimum DC akım kazancı (hFE) 300'dür (50mA, 2V şartlarında). Düşük doyum gerilimi (190mV @ 10mA, 200mA) ile hızlı komütasyon sağlar. Küçük boyutlu ve kompakt tasarımı nedeniyle yoğun devrelerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
700 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
540MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-70, SOT-323
Part Status
Obsolete
Power - Max
600 mW
Supplier Device Package
3-MCPH
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
190mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V