Görsel mevcut değil
2SD1816T-TL-H
2SD1816T-TL-H Hakkında
2SD1816T-TL-H, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile karakterizedir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 180MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılır. 1W maksimum güç derecelendirmesi ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE @ 500mA, 5V) ile, genel amaçlı anahtarlama, darbe amplifikasyonu ve düşük sinyal kuvvetlendirme devreleri için uygundur. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında dağıtım, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V