Görsel mevcut değil
2SD1816S-TL-H
2SD1816S-TL-H Hakkında
2SD1816S-TL-H, onsemi tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 4A collector akımı ve 100V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 180MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olup, 1W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC gain değeri 500mA akımda minimum 140 olarak belirtilmiştir. Saturation voltajı 2A akımda maksimum 400mV'dir. Endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, özellikle güç anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V