Görsel mevcut değil
2SD1816S-E
2SD1816S-E Hakkında
2SD1816S-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. Maksimum 100V collector-emitter gerilimi, 4A collector akımı ve 1W güç disipasyonu kapasitesiyle orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 180MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) kılıfıyla yüksek yoğunluklu PCB montajlarında tercih edilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Cihaz şu anda Obsolete (üretilmiyor) durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V