Görsel mevcut değil
2SD1815T-TL-H
2SD1815T-TL-H Hakkında
2SD1815T-TL-H, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 100V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 180MHz geçiş frekansı sayesinde anahtarlama ve düşük frekanslı amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. 1W maksimum güç disipasyonu ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ortamlara dayanıklıdır. Kolektör cutoff akımı 1µA ve Vce doyum voltajı 400mV (150mA, 1.5A'de) ile verimli anahtarlama karakteristiği gösterir. Motor kontrol, güç yönetimi ve aydınlatma kontrol devrelerinde tercih edilir. Not: Bu bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) olup, yerini yeni teknolojiler almıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V