Görsel mevcut değil
2SD1803T-TL-E
2SD1803T-TL-E Hakkında
2SD1803T-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 5A maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 180MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 1W maksimum güç dissipasyonu ve 200 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle, güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde, LED kontrol uygulamalarında ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanıma uygundur. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli çalışır. Cihaz şu anda obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V