Görsel mevcut değil
2SD1803S-TL-E
2SD1803S-TL-E Hakkında
2SD1803S-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 50V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 5A maksimum kolektor akımı ile çalışabilir. 180MHz transition frequency özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1W maksimum güç tüketimi ve 140 minimum DC akım kazancı (hFE) ile genel amaçlı amplifikasyon ve anahtar uygulamaları için tasarlanmıştır. 400mV doyum gerilimi düşük güç kaybı sağlar. Endüstriyel kontrol devrelerinde, güç kaynağı tasarımlarında ve RF uygulamalarında kullanılabilir. Bileşen üretimi durdurulmuş olup, mevcut stok kullanılması gerekmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 150mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V