Görsel mevcut değil
2SD1802T-TL-E
2SD1802T-TL-E Hakkında
2SD1802T-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 3A collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç tüketimi ve 150MHz transition frequency özellikleriyle anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışır. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güvenilir performans sağlar. 500mV maksimum VCE saturation voltajı sayesinde düşük kayıp anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve RF uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V