Görsel mevcut değil
2SD1802T-E
2SD1802T-E Hakkında
2SD1802T-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 50V kolektör-emitter kesintisi voltajı ve 5A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 150MHz transition frequency ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanabilir. Kolektör-emitter doyum voltajı 0.5V olup, 0.5V doyum voltajında 100mA base akımı ve 2A kolektör akımında ölçülmüştür. Düşük ICBO (1µA) ile minimal kaçak akımı gösterir. Through-hole montaj türü ile klasik PCB tasarımlarında kullanılır. Bileşenin Obsolete durumunda olması nedeniyle yeni tasarımlar için güncel alternatifleri değerlendirilmelidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
0.5V @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V