Görsel mevcut değil
2SD1802S-E
2SD1802S-E Hakkında
2SD1802S-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) kapsülü ve through-hole montaj tipi ile PCB entegrasyonu sağlar. 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında, motor sürücü devreleri ve darbe amplifikatörlerde tercih edilir. 140 minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük base akımında yüksek collector akımı elde edilebilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen güncel olarak üretilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V