Görsel mevcut değil
2SD1801T-TL-E
2SD1801T-TL-E Hakkında
2SD1801T-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. 50V kolektör-emitter gerilim sınırlaması ile 2A kolektör akımında çalışabilen bu transistör, DPak (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 150MHz transition frequency ve 100mA/2V'de 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 800mW güç tüketimi ve 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Vce saturation voltajı 50mA baz akımında 1A kolektör akımında 400mV'dir. Anahtarlama devreleri, amplifikatör uygulamaları ve düşük sinyal işleme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün Obsolete (Üretilmiyor) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V