Görsel mevcut değil
2SD1801S-E
2SD1801S-E Hakkında
2SD1801S-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile düşük-orta güçlü endüstriyel kontrolcüler, ses amplifikatörleri ve switching uygulamalarında kullanılır. TO-251 kısa bacak SMD paketinde gelen bu transistör, 150°C'ye kadar çalışmaya dayanıklıdır. 140 minimum DC current gain (hFE) değeri ile kararlı amplifikasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V