Görsel mevcut değil
2SD1207T-AE
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 2A 3MP
2SD1207T-AE Hakkında
2SD1207T-AE, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 50V Vce ve 2A kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1W güç kapasitesi, 150MHz geçiş frekansı ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE @ 100mA, 2V) özellikleri vardır. TO-92 long body paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, sürücü uygulamaları ve sinyal amplifikasyonu gibi genel amaçlı komutasyon ve amplifikasyon görevlerinde uygun olarak tasarlanmıştır. Doyum gerilimi 400mV (@ 50mA, 1A) ve maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V