Görsel mevcut değil
2SD1060S-1E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 5A
2SD1060S-1E Hakkında
2SD1060S-1E, onsemi tarafından üretilen NPN türü bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 50V kolektör-emiter kırılma voltajı ve maksimum 5A kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 30MHz transition frequency ile işaret amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde yer alır. 140 minimum DC akım kazancı (hFE), 300mV doyum voltajı ve 100µA maksimum kolektör cutoff akımı özellikleriyle sahip olan bileşen, ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V