Görsel mevcut değil
2SD1060R-1E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 5A
2SD1060R-1E Hakkında
2SD1060R-1E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 50V collector-emitter gerilimi ve 5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.75W güç dağıtabilmesi, 30MHz transition frequency'si ve 100 (minimum) DC current gain özelliği ile motor kontrol, anahtarlama devreleri, güç amplifikatörleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilmektedir. Transistör obsolete statüsünde olup, yeni tasarımlarda alternatif seçim önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V