Görsel mevcut değil
2SC6099-TL-E
2SC6099-TL-E Hakkında
2SC6099-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışmaya uygundur. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile motor kontrol, güç amplifikatörü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Surface mount TO-252 (DPak) paketi endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde kompakt tasarımlara olanak sağlar. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
165mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V