Görsel mevcut değil
2SC6097-TL-E
2SC6097-TL-E Hakkında
2SC6097-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 3A kolektör akımı ve 60V çöküş gerilimine dayanabilir. 390MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 800mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile audio amplifikatörler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 300 değerine sahiptir. Düşük saturasyon gerilimi (135mV) ile verimli işletme sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
390MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
135mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V