Görsel mevcut değil
2SC6097-E
2SC6097-E Hakkında
2SC6097-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile çalışır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 390MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç yönetimi kapasitesi ile, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması, RF amplifikasyon ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışabilen komponentin 300 minimum DC current gain değeri (100mA, 2V'de), güvenilir amplifikasyon performansı sağlar. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolaylıkla uygulanabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
390MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
135mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V