Görsel mevcut değil
2SC6017-TL-E
2SC6017-TL-E Hakkında
2SC6017-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 50V collector-emitter gerilim ve 10A maksimum collector akımı ile orta güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 200MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun olan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışabilir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan 2SC6017, motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 950mW maksimum güç yayma kapasitesi ve 200 minimum DC current gain özelliği ile stabil performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
950 mW
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
360mV @ 250mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V