Görsel mevcut değil
2SC6017-E
2SC6017-E Hakkında
2SC6017-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 10A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 200MHz geçiş frekansı ve 200 (minimum) DC akım kazancı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 950mW maksimum güç dağıtımı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile orta güç seviyesindeki tasarımlara uygun özelliklere sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
950 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
360mV @ 250mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V