Görsel mevcut değil
2SC5707-TL-E
2SC5707-TL-E Hakkında
2SC5707-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 8A kolektör akımı ile çalışabilir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 330MHz transition frequency ile yüksek hız gerekli devre tasarımlarında tercih edilebilir. Maksimum 1W güç tüketimi ile orta seviye güç uygulamalarına uygundur. 200 minimum DC Current Gain (hFE) değeri ile kararlı amplifikasyon sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. ICBO cutoff akımı 100nA olup, sızıntı akımı minimum seviyededir. Vce saturation voltajı 240mV (@175mA, 3.5A) olarak belirlenmişdir. Endüstriyel kontrol, motor sürücü, güç yönetimi ve rf uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
330MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 175mA, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V