Görsel mevcut değil
2SC5707-E
2SC5707-E Hakkında
2SC5707-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 50V collector-emitter gerilimi ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç disipasyonuna sahip olan bileşen, 330MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama işlemlerine uygun performans sunar. Minimum 200 hFE DC akım kazancı, 240mV saturation voltajı ve 100nA collector cutoff akımı sayesinde sağlam anahtarlama karakteristiği gösterir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç amplifikatörlerinde uygulanır. Dipnot: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
330MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 175mA, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V