Görsel mevcut değil
2SC5706-TL-H
2SC5706-TL-H Hakkında
2SC5706-TL-H, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 400MHz transition frequency'si ile anahtarlama ve yüksek frekans uygulamalarında kullanılabilir. 800mW maksimum güç dağıtımı ve 200 minimum DC current gain (@500mA) özellikleri ile ses amfifikatörleri, DC motor kontrol devreleri, güç anahtarı uygulamaları ve genel amaçlı sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V