Görsel mevcut değil
2SC5706-P-TL-E
2SC5706-P-TL-E Hakkında
2SC5706-P-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 5A collector akımı ile çalışmaya uygundur. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 200 (minimum) DC akım kazancı ve 400MHz geçiş frekansı karakteristiğine sahiptir. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile düşük voltaj sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve elektrik güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Maksimum 240mV satürasyon gerilimi, anahtarlama hızını ve verimliliğini optimize eder. Lojik seviye sürücüleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol devreleri başta olmak üzere çeşitli uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V