Görsel mevcut değil
2SC5706-P-E
2SC5706-P-E Hakkında
2SC5706-P-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 5A maksimum collector akımı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir transistördür. 400MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 800mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile doğru boyutlandırılan devrelerde verimli çalışır. DC akım kazancı (hFE) 200 minimum seviyesi, güvenilir amplifikasyon ve anahtarlama performansı sağlar. TO-251-3 (IPak) paket tipi, kompakt tasarımlar ve yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalar için uygundur. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve voltaj regülatörlerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V