Görsel mevcut değil
2SC5706-E
2SC5706-E Hakkında
2SC5706-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 Short Leads (IPak) paketlemesi ile sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter gerilimi, 5A collector akımı ve 400MHz geçiş frekansı ile orta güç uygulamalarına uygundur. Maksimum 800mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve RF amplifikatörlerinde kullanılabilir. 240mV saturasyon gerilimi ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile verimli anahtar karakteristiği sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
240mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V