Görsel mevcut değil
2SC5658RM3T5G
2SC5658RM3T5G Hakkında
2SC5658RM3T5G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisinde SOT-723 paket formatında sunulmaktadır. Maksimum 50V kolektor-emitter gerilimi ve 100mA kollektör akımı ile çalışabilen bu transistör, 180MHz transition frequency değeri ile yüksek hız gerekli uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum 260mW güç tüketim kapasitesi ile düşük güçlü sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 400mV saturasyon gerilimi ve 215 minimum DC akım kazancı (hFE) ile geniş bir uygulama alanına sahiptir. Mobil cihazlar, ses işleme, RF uygulamaları ve genel amaçlı elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
215 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
260 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V