Görsel mevcut değil
2SC5658M3T5G
2SC5658M3T5G Hakkında
2SC5658M3T5G, onsemi tarafından üretilen bir NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-723 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 180MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 260mW maksimum güç tüketim derecesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesine uygunluğunu gösterir. Düşük kaynama voltajı (400mV @ 60mA) ve 120 minimum DC akım kazancı sayesinde, amplifikasyon ve switching devreleri gibi analog ve dijital uygulamalarda tercih edilir. Küçük boyutu ve yüzey montajı özelliği, kompakt PCB tasarımları için ideal bir çözümdür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
260 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V