Görsel mevcut değil
2SC4617EBHZGTLR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 2SC4617EBHZG IS BIPOLAR TRANSIST
2SC4617EBHZGTLR Hakkında
2SC4617EBHZGTLR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistördür. 150mA maksimum kolektör akımı, 180MHz transition frekansı ve 50V breakdown voltajı ile RF ve darbe devreleri uygulamalarında kullanılır. Surface mount SC-89 (SOT-416FL) paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışabilir. 120 minimum DC current gain (hFE) ve 400mV maksimum doyum voltajı ile anahtarlama ve sinyal amplifikasyon görevlerinde tercih edilir. Tüketici elektroniği, haberleşme ekipmanları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-89, SOT-490
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
EMT3F (SOT-416FL)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V