Görsel mevcut değil
2SC4617EBHZGTLQ
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 2SC4617EBHZG IS BIPOLAR TRANSIST
2SC4617EBHZGTLQ Hakkında
2SC4617EBHZGTLQ, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SC-89 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 150 mA kollektör akımı ve 180 MHz transition frekansı ile çalışır. 50V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 150 mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 1mA, 6V koşullarında minimum 120 değerindedir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, düşük sinyalli anahtarlama uygulamaları, RF amplifikasyonu, ses frekansı devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Düşük kolektör kesme akımı (100nA) ve kontrollü saturasyon voltajı (400mV @ 5mA, 500mA) ile karakterize edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SC-89, SOT-490
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
EMT3F (SOT-416FL)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V