Görsel mevcut değil
2SC4134T-E
2SC4134T-E Hakkında
2SC4134T-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri, 120MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 800mW maksimum güç tüketimi, 150°C çalışma sıcaklığı ve 400mV saturation voltajı ile stabil performans sağlar. Through-hole TO-251 paketlemesi ile geleneksel PCB montajına uygundur. Güç kaynakları, motor sürücüler, darbe üretim ve orta frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V