Görsel mevcut değil
2SC3646T-TD-E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 1A PCP
2SC3646T-TD-E Hakkında
2SC3646T-TD-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi BJT transistördür. 100V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 500mW maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 120MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 100 @ 100mA, 5V DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Genel amaçlı anahtarlama devreleri, güç amplifikatörleri, motor sürücüleri ve ses frekansı amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük ICBO (100nA) kollektör cutoff akımı ve 400mV saturation gerilimi uygulamada verimli çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
PCP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V