Görsel mevcut değil
2SC3646T-P-TD-E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 1A
2SC3646T-P-TD-E Hakkında
2SC3646T-P-TD-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 100V kolektör-emitter gerilimi, 1A maksimum kolektör akımı ve 500mW güç sınırlamasına sahip bu transistör, orta-frekans uygulamalarında kullanılır. 120MHz transition frequency ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile özellikle anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında genel amaçlı NPN transistör olarak konumlandırılmıştır. Düşük ICBO (100nA) ve belirli saturation voltajı (400mV) özellikleriyle hassas uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
PCP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V