Görsel mevcut değil
2SC3646S-TD-E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 1A PCP
2SC3646S-TD-E Hakkında
2SC3646S-TD-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount teknolojisine uygun PCP (TO-243AA) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100V kolektör-emitter gerilimi ve 1A kolektör akımı ile çalışabilir. 500mW güç dissipasyonu kapasitesine sahip transistör, 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile entegre devrelerde, sinyal işleme uygulamalarında ve düşük gücün anahtarlama görevlerinde kullanılır. 120MHz transition frekansı ile frekans uygulamalarında da tercih edilebilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında güvenli çalışır ve entegre devrelerde genleme, amplifikasyon ve anahtarlama işlevlerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
PCP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V