Görsel mevcut değil
2SC2812N6-TB-E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.15A CP
2SC2812N6-TB-E Hakkında
2SC2812N6-TB-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 150mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 200mW maksimum güç derecelendirmesi ve 135'lik minimum DC current gain (hFE) değerleri ile genel amaçlı amplifikasyon ve switching uygulamalarında tercih edilir. Gürültü kontrol devreleri, sinyal amplifikasyon, ses frekans devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C (junction) arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
3-CP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V