Görsel mevcut değil
2SB817C-1E
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 140V 12A
2SB817C-1E Hakkında
2SB817C-1E, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj ve akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maximum 140V collector-emitter gerilimi ve 12A collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 120W güç dağıtabilir. 10MHz transition frequency özelliği ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygun performans sağlar. TO-3P-3 (SC-65-3) pakette sunulan bileşen, güç amplifikatörleri, darbe şekillendirme devreler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C çalışma sıcaklığı ve 2V saturation gerilimi ile stabil işletme özelliklerine sahiptir. Halihazırda üretim dışı (Obsolete) durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
120 W
Supplier Device Package
TO-3P-3L
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V