Görsel mevcut değil
2SB1429_R1_00001
- Üretici
- Panjit
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
2SB1429_R1_00001 Hakkında
2SB1429_R1_00001, PANJIT tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Düşük doyum gerilimi (Vce Sat: 300mV) özelliğine sahip bu bileşen, güç tüketiminin azaltılması gereken uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 3A kolektor akımı ve 160MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. 1.25W maksimum güç disipasyonu ve 20V collector-emitter breakdown voltajı ile ses amplifikasyonu, motor kontrol, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. Surface mount SOT-23 paket tipi, kompakt PCB tasarımlarına uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
160MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
1.25 W
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V