Görsel mevcut değil
2SB1216T-TL-H
2SB1216T-TL-H Hakkında
2SB1216T-TL-H, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) komponenttir. Maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 4A collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışabilir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 200 (Min) DC current gain değeri ile güvenilir işletim sağlar. 500mV saturation voltajı sayesinde düşük güç kaybıyla çalışır. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi, motor kontrol ve analog amplifikasyon uygulamalarında tercih edilebilir. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V