Görsel mevcut değil
2SB1216T-TL-E
2SB1216T-TL-E Hakkında
2SB1216T-TL-E, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP bipolar junction transistördür. 100V VCEO ve 4A maksimum kollektör akımı ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 130MHz transition frequency ve 200 minimum hFE değeri ile orta hızlı işlem gerçekleştiren devreler için uygundur. TO-252 (DPak) paketindeki yüzeye monte tasarımı, kompakt PCB düzenlemeleri gerektiren endüstriyel kontrol, motor sürücüsü ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 1W maksimum güç disipasyonu ve 150°C çalışma sıcaklığı, termal olarak sınırlı ortamlarda uygulamalar için uygunluğunu gösterir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V