Görsel mevcut değil
2SB1216T-H
2SB1216T-H Hakkında
2SB1216T-H, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörtür. 100V collector-emitter breakd gerilimi ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 500mV saturasyon gerilimi (2A/200mA) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 130MHz transition frequency ile hızlı komutasyon işlemleri gerçekleştirebilir. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1W güç dağıtabilir ve -40°C ile +150°C arasında çalışmaya uygundur. Cihazın üretimi durdurulmuştur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V