Görsel mevcut değil
2SB1216S-TL-H
2SB1216S-TL-H Hakkında
2SB1216S-TL-H, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 100V kollektör-emiter kırılma gerilimi ve 4A maksimum kollektör akımı ile orta güç seviyesindeki anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 130MHz transition frequency ve 140 (hFE minimum değeri) ile sayısal mantık devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında ve güç kaynağı devrelerinde yer alabilir. 1W maksimum güç dağılımı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenilir çalışma sunar. Düşük VCE(sat) değeri (500mV @ 2A) transistörü doyum bölgesine yaklaştırır ve enerji kaybını minimize eder.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V