Görsel mevcut değil
2SB1216S-TL-E
2SB1216S-TL-E Hakkında
2SB1216S-TL-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörtür (BJT). TO-252-3 (DPak) surface mount paketi ile sunulan bu bileşen, 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ile RF ve anahtarlama devrelerinde tercih edilebilir. DC akım kazancı 500mA, 5V koşullarında 140'tır. 1W maksimum güç derecelendirmesi sayesinde lineer amplifikatörler, anahtar devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer alır. Vce saturation değeri 500mV (@200mA, 2A) düşük kayıp için optimize edilmiştir. Not: Bu ürün üretim safhası sona ermiş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V