Görsel mevcut değil
2SB1216S-H
2SB1216S-H Hakkında
2SB1216S-H, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar bağlaç transistörüdür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 4A kolektör akımı ve 100V kolektör-emiter gerilimi ile uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500mV saturasyon gerilimi ve 140 minimum DC akım kazancı ile anahtarlama ve doğrusal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 130MHz transit frekansı sayesinde orta hızlı sinyal işleme işlemlerine uygundur. Maksimum 1W güç tüketimi kapasitesi ile kompakt tasarımlarda yer almaktadır. -150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri ve ses amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V