Görsel mevcut değil
2SB1216S-E
2SB1216S-E Hakkında
2SB1216S-E, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar transistördür. TO-251-3 (IPak) short leads paketinde sunulan bu komponent, maksimum 4A kolektör akımı ve 100V gerilim aralığında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 130MHz transition frequency'si ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum 1W güç dağıtımı kapasitesine sahip olan transistör, 500mV saturasyon gerilimi ile iyi switching karakteristikleri sunar. DC akım kazancı (hFE) 500mA, 5V koşullarında minimum 140 değerine ulaşır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu komponent, güç amplifikasyonu, anahtarlama devrelerinde ve orta güçlü uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu parça artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V