Görsel mevcut değil
2SB1215T-TL-H
2SB1215T-TL-H Hakkında
2SB1215T-TL-H, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 100V kolektör-emitter kırılma gerilimi ve 3A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz geçiş frekansı ile anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyonu devreleri için uygundur. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, 200 minimum DC akım kazancı ve 500mV saturasyon gerilimi ile endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında yer alabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V