Görsel mevcut değil
2SB1215T-TL-E
2SB1215T-TL-E Hakkında
2SB1215T-TL-E, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kollektör akımı ve 100V break-down voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 130MHz transition frequency ile hızlı komutasyon özelliğine sahiptir. 500mV satürasyon voltajı ve 200'ün minimum DC current gain değeri, audio amplifikatörleri, motor sürücüleri, power management devreleri ve diğer switching uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 1W güç tüketimine sahip olan bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
130MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TP-FA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 150mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V